وضع الباحثون أنابيب الكربون النانوية على رقاقة السيليكون كطبقة شبه موصلة
وضع الفريق الترانزستور بين درعين.اكتشف العلماء أن الأنابيب النانوية تحمي الخواص الكهربائية من الإشعاع حتى 10 مراد. وهذا أعلى بكثير مما يمكن أن تتحمله الأجهزة القائمة على السيليكون المقوى بالإشعاع. ومن خلال وضع درع تحت الترانزستور، تمت حماية الأنابيب النانوية إلى 2 مراد. هذه المؤشرات تساوي المستوى الذي يمكن أن تتحمله الإلكترونيات القائمة على السيليكون والمقواة بالإشعاع.
لسهولة التصنيع المقاوم للإشعاعابتكر فريق الأجهزة شرائح ذاكرة ثابتة (SRAM) حيث وضعوا درعًا تحت الترانزستور. أظهرت الأبحاث أن هذه الرقائق لها نفس عتبة الاستقرار مثل SRAM القائمة على السيليكون.
يوضح هذا العمل أن الأنابيب النانوية الكربونيةيمكن أن تكون إضافة واعدة للجيل القادم من الإلكترونيات. إن مدة الخدمة ونطاق الرحلات إلى الفضاء محدودة للغاية بسبب موثوقية التكنولوجيا. من المتوقع أن تجعل هذه الأنابيب بسمك ذرة واحدة ترانزستورات أكثر كفاءة في استخدام الطاقة من السيليكون التقليدي.
قراءة المزيد:
التقط هابل صورة لنفس المجرة النشطة بفارق 20 سنة
اكتشاف العلماء يكشف ماضي القارة القطبية الجنوبية في عصر الديناصورات
أخبر علماء الفلك أين وكيف يتشكل الذهب والبلاتين في الكون