Ingenieure der Universität Tokio haben dreidimensionale vertikale Feldeffekttransistoren für
Experimentelle 3D-MehrschichtzelleSpeicher basiert auf vertikalen Feldeffekttransistoren mit einem Oxid-Halbleiter-Kanal. Im Inneren des Kanals lagerten die Forscher Schichten aus Hafniumoxid (Ferroelektrikum) und Indiumoxid (Antiferroelektrikum) ab.
Das erstellte Gerät verwendetFerroelektrizität (spontane Polarisation in Kristallen) zur Datenspeicherung. Über den Polarisationsgrad in der ferroelektrischen Schicht werden Informationen gespeichert, die aufgrund von Änderungen des elektrischen Widerstands vom System gelesen werden können. Die Entwickler erklären, dass Ferroelektrika über elektrische Dipole verfügen, die am stabilsten sind, wenn sie in die gleiche Richtung ausgerichtet sind. Hafniumoxid sorgt für eine spontane Ausrichtung der Dipole.
Die Forscher sagen, dass sie durch die Verwendung eines Antiferroelektrikums anstelle eines Ferroelektrikums herausgefunden haben, dass zum Löschen nur eine winzige Nettoladung benötigt wird, was die Effizienz des Datenschreibens verbessert.
Autoren der auf der Konferenz vorgestellten ArbeitenDas Institute of Electrical and Electronics Engineers berichtet, dass das erstellte experimentelle Gerät mindestens 1000 Schreibzyklen stabil funktioniert.
Die Wissenschaftler glauben, dass die Kombination solcher experimenteller Module dazu beitragen wird, stromsparende Speichersysteme für die IoT-Unterhaltungselektronik zu schaffen.
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