Leiter des Labors des Instituts für Halbleiterphysik, Sibirische Zweigstelle der Russischen Akademie der Wissenschaften,
Es ist geplant, das Material mit der Methode auf der ISS zu züchtenMolekularstrahlepitaxie, die solche Vakuumeigenschaften wie im Weltraum erfordert. Ende 2022 oder Anfang 2023 werden aufwändige Tests durchgeführt, bei denen der Prototyp an das ISS-Mock-up andockt und seine Leistung im regulären ISS-System überprüft wird.
Die Anlage wird für die Produktion des Flugprototyps bereit seinWird nach Überprüfung der Verbindung zum Gerät übertragen, wenn klar ist, dass sich alle „Schaltkreise gegenseitig verstehen“. Die Produktion wird von der Rocket and Space Corporation Energia durchgeführt. Die Anlage zum Wachsen von Halbleitern ist ein Gemeinschaftsprojekt von RSC Energia und dem Institut für Physik der Physik SB RAS.
Die Materialien, die auf der ISS gezüchtet werden, sollen in der Mikroelektronik und Photonik eingesetzt werden.
„Gemeinsam mit RKK haben wir einen Vorentwurf erstellt.Das Raumschiff wird ziemlich weit von der ISS wegfliegen, technologische Regime ausführen und zurückkehren. Neustart auf der ISS - fertige Produkte werden entfernt und die Ausgangsmaterialien für die nächste Charge werden entladen “, sagte Alexander Nikiforov.