Samsung ist einer der bedeutendsten Player auf dem Halbleitermarkt und der Hauptkonkurrent von TSMC
Architekturentwicklung.Erinnern wir uns daran, dass die Taiwaner kürzlich ihre 3-nm-Technologie vorgestellt und sogar über ein 2-nm-Analogon gesprochen haben. Nun hat Samsung den Produktionsstart seiner Vision einer 3-nm-Architektur mit neuer Gate-All-Around (GAA)-Technologie angekündigt, die es Ihnen ermöglicht, die FinFET-Einschränkungen der heutigen Top-Chips zu umgehen. Dies führt zu einer ordentlichen Steigerung der Leistung (durch Erhöhung des zulässigen Stroms) und der Energieeffizienz (durch Reduzierung der Spannung). Laut Samsung wird die erste Generation der 3-nm-Architektur im Vergleich zum 5-nm-Pendant eine Leistungssteigerung von 23 %, eine Energieeffizienz von 45 % und eine Platzersparnis von 16 % bieten. Mit der zweiten Generation werden diese Zahlen auf 30, 50 bzw. 35 % steigen.
Auch Koreaner meldeten den ersten EinsatzTechnologie der Transistor-Nanoblätter, die Nanodrähte ersetzen. Sein Vorteil – breitere Kanäle, die eine Voraussetzung für höhere Produktivität, Energieeffizienz und Optimierungsgrade werden. Es wurde zunächst auf Hochleistungsrechnersystemen getestet und dann auf mobile Chipsätze übertragen. Die ersten echten Projekte zur 3-nm-Architektur von Samsung werden wir voraussichtlich Ende dieses Jahres von Qualcomm und/oder Apple sehen.
© Artur Luchkin.
Laut Samsung