Memoria flash de 6 bits probada en Japón: mientras funciona a –200 ° C

Hace dos años, la empresa japonesa Kioxia (anteriormente Toshiba Memory) anunció el exitoso desarrollo de la memoria flash NAND PLC con

Esto prometía un aumento del 25% en la densidad de área en comparación con la memoria QLC NAND (4 bits), pero redujo a la mitad la tolerancia al desgaste para el proceso de clase de 10 nm a 35 ciclos de reescritura.Sin embargo, los ingenieros no se han detenido ahí y recientemente han probado la memoria HLC 3D NAND de 6 bits y planean hacerlocrear una NAND OLC de 8 bits.

La información en la celda NAND está codificada con un númeroestados de carga (voltaje) y está determinado por el valor 2 elevado a la potencia, donde el grado es la capacidad de la celda. Por ejemplo, para la memoria MLC, estas son cuatro gradaciones de niveles de voltaje (22), y para el popular QLC de 4 bits actual, ya hay 16 valores (24). Para memoria con seis bits en cada celda, es necesario tener ya 64 niveles, y para 8 bits - 256 valores. Esto cargará increíblemente el controlador de memoria, que tendrá que restaurar y corregir todo esto en cada operación, pero la física y la química de los materiales también se oponen a esto.

Para probar el funcionamiento de una celda NAND de 6 bits,Los ingenieros de Kioxia enfriaron la muestra de memoria a una temperatura de –200 °C. Esto estabilizó las características del material y simplificó el diseño de la celda. El experimento demostró que en este estado, una celda de 6 bits puede escribir y almacenar datos durante hasta 100 minutos sin destrucción, y también puede soportar hasta 1000 ciclos de reescritura. Los desarrolladores esperan que a temperatura ambiente dicha memoria resista hasta 100 ciclos de reescritura. El resultado obtenido nos permite esperar que con el tiempo aparezcan memorias HLC e incluso OLC.

Sin embargo, incluso si los científicos de KioxiaSi pueden hacer que HLC y OLC NAND funcionen a temperatura ambiente, necesitarán desarrollar los controladores correspondientes. Su tarea es leer y escribir datos de forma fiable desde dicha memoria flash. Dichos controladores deberán admitir algoritmos ECC extremadamente complejos, lo que requerirá una potencia informática significativa. ¿Serán estos controladores demasiado caros para compensar los beneficios de capacidad de 3D HLC y 3D OLC NAND? ¿Y qué rendimiento pueden ofrecer las futuras unidades HLC? Como señala Tom's Hardware, "sólo el tiempo lo dirá", pero los expertos no esperan que TLC desaparezca del mercado en un futuro próximo.

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