Los chips con una capacidad de registro de 1 GB no temen a la radiación, el frío y los datos de almacenamiento durante 10 años

Micross, empresa dedicada al desarrollo de electrónica, anunció el lanzamiento de un componente de 1 gigabyte

RAM magnetorresistiva (MRAM). Se trata de una memoria magnetorresistiva muchas veces más densa que la propuesta anteriormente. La densidad de las celdas de memoria STT-MRAM se ha incrementado 64 veces.

Según The Register, la baseLos chips STT-MRAM Micross se basan en la tecnología de la empresa estadounidense Avalanche Technology. A pesar de que Samsung introdujo una unidad STT-MRAM de 1 GB hace casi tres años, a Micross se le puede atribuir el lanzamiento de una STT-MRAM discreta de 1 GB, que se puede usar fácilmente en electrónica en lugar de la memoria flash NAND.

La memoria STT-MRAM opera a una temperatura más altarango (-40 ° C a 125 ° C). Se puede reescribir casi indefinidamente. Además, no le teme a la radiación ni a los cambios de temperatura. Esto es especialmente útil en la industria aeroespacial y su entorno hostil. Los datos de la celda se almacenan hasta por 10 años.

El Registro solicitó a Micross que proporcionarainformación sobre precios de piezas nuevas, pero la empresa no respondió al momento de la publicación del artículo. Los interesados ​​pueden contactar con la empresa a través de la página web de la empresa.

Leer Más lejos

Un barco único se convierte en submarino en dos minutos y es invisible para el enemigo.

Los físicos han enfriado los átomos a la temperatura más baja del mundo

El modelo más detallado del Universo se ha publicado en línea. Cualquiera puede estudiarlo