Ingenieros del grupo de Tecnología de Detección y Electrónica Flexible (BEST) de la Universidad de Glasgow explican cómo
Primero, una nanoestructura semiconductora basadaEl silicio está diseñado y fabricado sobre un sustrato. En la segunda etapa, la nanoestructura se elimina del sustrato mediante un sello de polímero blando. En el paso final, la nanoestructura se transfiere del sello a otro sustrato que sea específicamente adecuado para dispositivos flexibles, como robótica blanda o una pantalla flexible.
Sin embargo, el proceso de impresión por transferencia tiene muchas limitaciones que dificultan la creación de dispositivos grandes, complejos y flexibles.
Esto se puede comparar con un sello de baja calidad enpasaporte, debido a la tinta no impresa es más difícil de leer o verificar, de manera similar, una impresión de polímero incompleta o de baja calidad en el sustrato puede provocar un funcionamiento incorrecto del equipo.
Por tanto, el equipo de Glasgow utilizó unaenfoque, en el que eliminó por completo el segundo paso del típico proceso de impresión por transferencia. En lugar de transferir las nanoestructuras a un sello de polímero blando antes de transferirlo al sustrato final, ahora se imprime directamente sobre la superficie flexible.
Primero, los ingenieros fabricaron silicio fino.Nanoestructura con un tamaño inferior a 100 nm. Luego cubrieron el sustrato con una capa ultrafina de productos químicos para mejorar la adhesión. El sustrato preparado se envolvió alrededor de un tubo de metal y luego este tubo se hizo rodar sobre una oblea de silicio, transfiriéndolo a un material flexible.
Optimizando cuidadosamente el proceso, el equipo pudoCree una impresión muy uniforme en un área de 10 cm² con un rendimiento de transferencia del 95%, significativamente más alto que la mayoría de los procesos convencionales de impresión por transferencia a escala nanométrica.
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