Ingenieros de la Universidad de Tokio han fabricado transistores tridimensionales verticales de efecto de campo para
Célula multicapa 3D experimentalla memoria se basa en transistores de efecto de campo vertical con un canal de semiconductor de óxido. Dentro del canal, los investigadores depositaron capas de óxido de hafnio (ferroeléctrico) y óxido de indio (antiferroeléctrico).
El dispositivo creado utilizaferroelectricidad (polarización espontánea en cristales) para almacenamiento de datos. La información se almacena según el grado de polarización en la capa ferroeléctrica, que el sistema puede leer debido a los cambios en la resistencia eléctrica. Los desarrolladores explican que los ferroeléctricos tienen dipolos eléctricos que son más estables cuando están alineados en la misma dirección. El óxido de hafnio proporciona una alineación espontánea de los dipolos.
Los investigadores dicen que al usar un antiferroeléctrico en lugar de un ferroeléctrico, descubrieron que solo se necesita una pequeña carga neta para borrar, lo que mejora la eficiencia de la escritura de datos.
Autores de los trabajos presentados en el congresoEl Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos informa que el dispositivo experimental creado funciona de manera estable durante al menos 1000 ciclos de escritura.
Los científicos creen que la combinación de dichos módulos experimentales ayudará a crear sistemas de almacenamiento de bajo consumo para la electrónica de consumo de IoT.
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