Físicos del MIT convierten metales de transición en ferroeléctricos

Si hay dos hojas separadas de TMD (dicalcogenuros de metales de transición), cada una solo

varias capas atómicas están apiladasparalelos entre sí, el material se vuelve ferroeléctrico. Este descubrimiento fue realizado por investigadores del MIT. En un material ferroeléctrico, las cargas positivas y negativas se mueven espontáneamente en diferentes direcciones o hacia los polos. Cuando se aplica un campo eléctrico externo, estas cargas se mueven hacia el otro lado, cambiando la polarización. Además, en los materiales nuevos todo esto ocurre a temperatura ambiente.

El trabajo de los físicos del MIT es importante porque los nuevosLos materiales pueden tener aplicaciones interesantes en informática. Además, el enfoque se puede aplicar a otros materiales preexistentes, lo que también amplía las posibilidades de su aplicación.

“En poco tiempo, hemos sido capaces de aumentar significativamenteexpandir la pequeña pero creciente familia de ferroeléctricos 2D, un tipo de material clave para aplicaciones en nanoelectrónica e inteligencia artificial”, dice Pablo Jarillo-Herrero, profesor de física y líder del trabajo.

Autores del trabajo científico: físicos Kenji Yasuda y Xirui Wang

El año pasado, Jarillo-Herrero y sus colegasmostró que cuando dos láminas atómicamente delgadas de nitruro de boro se apilan paralelas entre sí, el nitruro de boro se convierte en ferroeléctrico. En el trabajo actual, los investigadores aplicaron la misma técnica a DPM.

Ferroeléctricos ultrafinos similares a los creadosde nitruro de boro y DPM, puede proporcionar un almacenamiento mucho más denso de la memoria de la computadora. Pero son raros. Con la adición de cuatro nuevos ferroeléctricos TMD, “casi hemos duplicado la cantidad de ferroeléctricos ultrafinos que funcionan a temperatura ambiente”, dice Xirui Wang, uno de los autores del artículo. Además, señaló, la mayoría de los materiales ferroeléctricos son aislantes. “Rara vez sucede que un ferroeléctrico también sea un semiconductor”, concluyó Wang.

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