Investigadores de la Universidad de Minnesota y del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) de EE. UU.
En los dispositivos espintrónicos, a diferencia de los convencionalesla electrónica, la energía o la información no se transfiere por la carga del electrón, sino por la dirección de su rotación (espín). Los materiales espintrónicos se han integrado con éxito en microcircuitos semiconductores durante más de 10 años. Pero el material estándar, cobalto-hierro-boro, ha llegado al límite de la escalabilidad: es imposible crear dispositivos de menos de 20 nm que conserven la capacidad de almacenar datos.
Los físicos han encontrado un material alternativo.En un estudio publicado en la revista Advanced Functional Materials, demostraron que el material de hierro-paladio requiere menos energía y tiene potencial para un mayor almacenamiento de datos. Estos dispositivos pueden reducirse a un tamaño de 5 nm, cuatro veces más pequeño que sus homólogos actuales.
En el experimento, los investigadores cultivaron un elemento de hierro-paladio en una oblea de silicio utilizando un sistema de pulverización UHV de múltiples cámaras de 8 pulgadas.
Este trabajo muestra por primera vez en el mundo que es posible hacer crecer un material que se puede reducir a un tamaño de menos de cinco nm en un sustrato compatible con la industria de los semiconductores.
Deyuan Liu, coautor del estudio
La industria de los semiconductores está constantementeestá intentando desarrollar chips cada vez más pequeños que puedan maximizar la eficiencia energética, la velocidad informática y la capacidad de almacenamiento de datos en dispositivos electrónicos. Los dispositivos espintrónicos pueden ser no volátiles: requieren menos energía y pueden almacenar memoria y realizar cálculos incluso después de apagarlos.
Los investigadores creen que la tecnología propuesta podría revolucionar la industria electrónica.
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