Los semiconductores son la base de muchos dispositivos optoelectrónicos, incluidos los láseres y los LED.Ingenieros
En cambio, Nakamura y su personalutilizó un método alternativo, la epitaxia de haz molecular, en el que una película se hace crecer gradualmente sobre un sustrato a una temperatura elevada y al vacío. La epitaxia de haz molecular ya se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores. Sin embargo, este método es difícil de usar para el yoduro de cobre. El hecho es que este material es muy volátil y se evapora fácilmente durante el proceso, y no se asienta en forma de película. Para resolver el problema, los científicos intentaron hacer crecer la película a una temperatura más baja y luego aumentarla. Fue este proceso de dos etapas el que resultó ser el más efectivo, señala el autor del estudio.
Para mejorar la calidad de la película, los científicosutilizado como sustrato arseniuro de indio. Su estructura es similar a la del yoduro de cobre. Esto es importante porque si el espaciado de la celosía no coincide, se forman muchos defectos en el material.
Los autores del desarrollo comprobaron la pureza de su muestra mediante espectroscopía de fotoluminiscencia.El método consiste en disparar fotones (o partículas de luz) en la superficie del material.Son absorbidos por el material, excitando sus electrones a un estado de energía más alto y haciendo que emitan nuevos fotones.
El control de la luz emitida permitió al equipo determinar que habían creado una película monocristalina sin defectos.
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