Sirut, joiden kapasiteetti on 1 Gt, eivät pelkää säteilyä, kylmää ja tallentavat tietoja 10 vuoden ajan

Elektroniikkaa kehittävä yritys Micross ilmoitti julkaisevansa 1 gigatavun komponentin

Magnetoresistiivinen RAM (MRAM). Tämä on monta kertaa tiheämpi magnetoresisiivinen muisti kuin aiemmin ehdotettiin. STT-MRAM-muistisolujen tiheys on kasvanut 64-kertaiseksi.

 Rekisterin mukaan perustaSTT-MRAM Micross -sirut perustuvat amerikkalaisen Avalanche Technologyn teknologiaan. Huolimatta siitä, että Samsung esitteli 1 Gt:n STT-MRAM-yksikön lähes kolme vuotta sitten, Microssin ansioksi voidaan antaa erillinen 1 Gt:n STT-MRAM, jota voidaan helposti käyttää elektroniikassa NAND-flash-muistin sijaan.

STT-MRAM-muisti toimii korkeammassa lämpötilassalämpötila-alue (-40 ° C-125 ° C). Sitä voidaan kirjoittaa lähes loputtomiin. Lisäksi hän ei pelkää säteilyä ja lämpötilan muutoksia. Tämä on erityisen hyödyllistä ilmailuteollisuudessa ja sen ankarassa ympäristössä. Solutietoja säilytetään jopa 10 vuotta.

Rekisteri pyysi Microssia toimittamaantietoa uusien osien hinnoista, mutta yritys ei vastannut artikkelin julkaisuhetkellä. Kiinnostuneet voivat ottaa yhteyttä yritykseen yhtiön verkkosivujen kautta.

Lukea Edelleen

Ainutlaatuinen vene muuttuu sukellusveneeksi kahdessa minuutissa ja on näkymätön viholliselle

Fyysikot ovat jäähdyttäneet atomit maailman alimpaan lämpötilaan

Maailmankaikkeuden yksityiskohtaisin malli on julkaistu verkossa. Kuka tahansa voi opiskella sitä