Tämä on läpimurto: IBM julkistaa ensimmäisen sirun 2 nm: n prosessitekniikalla

Amerikkalainen teknologiajätti IBM julkaisi artikkelin, jonka avulla he onnistuivat valmistamaan sirun

kahden nanometrin tekniikka, kotelo 333transistori neliömillimetriä kohti. Yhtiö selitti läpimurtoaan puolijohdesuunnittelussa sillä, että tekoälyn, pilvitallennusten ja kompaktin puettavan elektroniikan aikakaudella laitteet tarvitsevat yhä enemmän tehoa.

Kuinka tämä on hyödyllistä?

• Julkaisussa yhtiö toi esiin useita avainalueita, joilla uudet sirut ylittävät 7 nm: n vastineensa:
• Pidentää älypuhelinten akunkestoa neljä kertaa;
• Datakeskusten sähkönkulutuksen vähentäminen;
• Merkittävä kasvu kannettavien tietokoneiden ja kannettavien suorituskyvyssä: uudet sirut tuottavat 45% paremman suorituskyvyn ja 75% vähemmän virrankulutusta;
• Vaikutus itsenäisiin itseajoaviin ajoneuvoihin: sirut nopeuttavat kohteiden tunnistamista ja tien päällä tarvittavia laskelmia

Yleensä transistorin tiheys –ainoa asia, josta nykyaikaisten elektronisten laitteiden energiankulutus ja mikä tärkeintä suorituskyky riippuu. Mooren lain mukaan tiheys kaksinkertaistuu 24 kuukauden välein, mutta puolijohdetekniikan kehittyessä transistorien sovittaminen sirulle on yhä vaikeampaa, ja seuraava läpimurto tällä alueella lupaa jotain aivan uutta prosessorien suunnittelussa.

</ p>