Nos résultats nous aideront à comprendre comment nous pouvons améliorer considérablement de nouveaux types de cellules mémoire à base de ruthénium.
L'augmentation de l'épaisseur de son film conduit àune augmentation de la rugosité de la surface de l'électrode, tandis que des zones de concentration locale du champ électrique se forment sur les pentes des grains. Cela améliore considérablement les caractéristiques clés des memristors et laisse espérer que les futurs dispositifs de mémoire auront de meilleures performances et fiabilité.Andrey Markeev, chef du groupe de dépôt de couche atomique au MIPT
Rappelons que les memristors sont des résistances,qui peut se souvenir des informations reçues. Elles diffèrent des résistances ordinaires en ce sens que la résistance du memristor dépend de la manière dont le courant l'a traversé auparavant. C'est cette propriété qui donne au memristor la capacité de mémoriser et de modifier les données précédemment enregistrées.
Cependant, il y a un problème:Les memristors ne peuvent pas supporter plus de plusieurs centaines de cycles d'écriture et perdent leurs propriétés. Des scientifiques russes ont tenté de résoudre ce problème en utilisant du ruthénium, un métal du groupe du platine qui ne présente pas de tels problèmes de compatibilité. Une autre propriété qui distingue le ruthénium est sa Les électrodes peuvent être produites à l’aide de la méthode de dépôt de couche atomique, qui permet un contrôle flexible de leur taille et de leur forme tridimensionnelle.
Des physiciens ont essayé de faire pousser des électrodes au ruthéniumde différentes épaisseurs et formes à la surface d'un film de nitrure de titane est l'un des composants traditionnels des memristors. Après cela, il a été combiné avec une couche d'oxyde de thallium et a surveillé comment les changements dans la structure et l'épaisseur de l'électrode affectaient les propriétés de l'ensemble de la cellule mémoire.
Un tel appareil peut survivre à des dizaines de millions de cycles de lecture et d'écriture. Les physiciens espèrent que leur développement contribuera à accélérer le développement de l'électronique à memristor.
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