Des ingénieurs de l’Université de Tokyo ont fabriqué des transistors tridimensionnels verticaux à effet de champ pour
Cellule multicouche expérimentale 3Dla mémoire est basée sur des transistors à effet de champ vertical à canal oxyde-semi-conducteur. A l'intérieur du canal, les chercheurs ont déposé des couches d'oxyde d'hafnium (ferroélectrique) et d'oxyde d'indium (antiferroélectrique).
L'appareil créé utiliseferroélectricité (polarisation spontanée dans les cristaux) pour le stockage de données. Les informations sont stockées par le degré de polarisation dans la couche ferroélectrique, qui peut être lue par le système en raison des changements de résistance électrique. Les développeurs expliquent que les ferroélectriques possèdent des dipôles électriques qui sont plus stables lorsqu’ils sont alignés dans la même direction. L'oxyde d'hafnium permet un alignement spontané des dipôles.
Les chercheurs disent qu'en utilisant un antiferroélectrique au lieu d'un ferroélectrique, ils ont découvert que seule une infime charge nette est nécessaire pour effacer, améliorant ainsi l'efficacité de l'écriture des données.
Auteurs des travaux présentés à la conférenceL'Institut des ingénieurs électriciens et électroniciens rapporte que le dispositif expérimental créé fonctionne de manière stable pendant au moins 1000 cycles d'écriture.
Les scientifiques pensent que la combinaison de tels modules expérimentaux aidera à créer des systèmes de stockage à faible consommation d'énergie pour l'électronique grand public IoT.
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