Chef du laboratoire de l'Institut de physique des semi-conducteurs, branche sibérienne de l'Académie des sciences de Russie,
Il est prévu de faire croître le matériau sur l'ISS en utilisant la méthodel'épitaxie par jets moléculaires, qui nécessite des caractéristiques de vide comme dans l'espace. Fin 2022 ou début 2023, des tests complexes seront effectués, au cours desquels le prototype s'arrimera à la maquette de l'ISS et ses performances seront vérifiées dans le système ISS standard.
L'installation sera prête pour la production du prototype de voltransmis après vérification de la connexion à l’équipement, lorsqu’il est clair que tous les « circuits se comprennent ». La production sera réalisée par Rocket and Space Corporation Energia. L'installation de culture de semi-conducteurs est un projet conjoint de RSC Energia et de l'Institut de physique de physique SB RAS.
Les matériaux qui seront cultivés sur l'ISS sont prévus pour être utilisés en microélectronique et en photonique.
«En collaboration avec RKK, nous avons réalisé une conception préliminaire.Le vaisseau spatial s'éloignera assez loin de l'ISS, effectuera des régimes technologiques et reviendra. Redémarrez sur l'ISS - les produits finis sont supprimés et les matériaux sources du prochain lot sont déchargés », a déclaré Alexander Nikiforov.