Les semi-conducteurs sous-tendent de nombreux dispositifs optoélectroniques, y compris les lasers et les LED.Génie
Au lieu de cela, Nakamura et son personnelutilisé une méthode alternative, l'épitaxie par faisceau moléculaire, dans laquelle un film est progressivement développé sur un substrat à une température élevée et sous vide. L'épitaxie par faisceau moléculaire est déjà largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Cependant, cette méthode est difficile à utiliser pour l'iodure de cuivre. Le fait est que ce matériau est très volatil et s'évapore facilement au cours du processus, et ne se dépose pas sous la forme d'un film. Pour résoudre le problème, les scientifiques ont essayé de faire pousser le film à une température plus basse, puis de l'augmenter. C'est ce processus en deux étapes qui s'est avéré le plus efficace, selon l'auteur des notes de l'étude.
Pour améliorer la qualité du film, les scientifiquesutilisé comme substrat arséniure d'indium. Sa structure est similaire à celle de l'iodure de cuivre. Ceci est important, car si l'espacement du réseau ne correspond pas, de nombreux défauts se forment dans le matériau.
Les auteurs du développement ont vérifié la pureté de leur échantillon à l’aide de la spectroscopie de photoluminescence.La méthode consiste à tirer des photons (ou particules de lumière) sur la surface du matériau.Ils sont absorbés par le matériau, excitant ses électrons à un état d’énergie plus élevé et les amenant à émettre de nouveaux photons.
La surveillance de la lumière émise a permis à l'équipe de déterminer qu'elle avait créé un film monocristallin sans défaut.
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