Eredményeink segítenek megérteni, hogyan javíthatjuk jelentősen a ruténiumon alapuló új típusú memóriasejteket.
A film vastagságának növelése ahhoz vezet, hogyaz elektróda felületének érdességének növekedése, míg a szemcsék lejtőin az elektromos tér helyi koncentrációjú területei képződnek. Ez jelentősen javítja a memristorok fő jellemzőit, és reményt ad arra, hogy a jövőbeni memóriaeszközök jobb teljesítményt és megbízhatóságot nyújtanak.Andrey Markeev, a MIPT atomréteg-lerakódási csoportjának vezetője
Emlékezzünk vissza, hogy a memrisztorok ellenállások,aki emlékezhet a kapott információkra. A hagyományos ellenállásoktól abban különböznek, hogy a memrisztor ellenállása attól függ, hogy korábban milyen áram haladt át rajta. Ez a tulajdonság biztosítja a memristor számára, hogy megjegyezze és módosítsa a korábban rögzített adatokat.
Van azonban egy probléma:A memristorok nem bírnak ki több száz írási ciklust, és elveszítik tulajdonságaikat. Orosz tudósok megpróbálták megoldani ezt a problémát ruténiummal, a platinacsoport fémével, amely nem rendelkezik ilyen kompatibilitási problémákkal. A ruténium másik tulajdonsága a Az elektródák atomi rétegleválasztásos módszerrel állíthatók elő, amely lehetővé teszi méretük és térbeli alakjuk rugalmas szabályozását.
A fizikusok megpróbálták ruténium elektródákat növesztenikülönböző vastagságú és alakú titán-nitrid film felületén a memristorok egyik hagyományos alkotóeleme. Ezt követően egy tallium-oxid réteggel kombinálták, és figyelték, hogy az elektróda szerkezetének és vastagságának változásai hogyan befolyásolják az egész memória cella egészének tulajdonságait.
Egy ilyen eszköz túlélheti az olvasási és írási ciklusok tízmillióit. A fizikusok remélik, hogy fejlesztésük elősegíti a memristor elektronika fejlődésének felgyorsítását.
Olvassa el
Az emberi agy neuronjai és a galaxishálózat hasonlóak
A lemezmozgás miatt a Csendes-óceán feneke most mélyen Kína alatt van
A tudósok feltörtek egy robotporszívót, hogy távolról rögzítsék a felhasználói beszélgetéseket