A Tokiói Egyetem mérnökei függőlegesen formázott, háromdimenziós térhatású tranzisztorokat készítettek
Kísérleti 3D többrétegű cellaA memória függőleges térhatású tranzisztorokon alapul, oxid-félvezető csatornával. A csatorna belsejében a kutatók hafnium-oxid (ferroelektromos) és indium-oxid (antiferroelektromos) rétegeket raktak le.
A létrehozott eszköz használjaferroelektromosság (kristályokban spontán polarizáció) adattároláshoz. Az információkat a ferroelektromos réteg polarizációs foka tárolja, amelyet az elektromos ellenállás változása miatt a rendszer ki tud olvasni. A fejlesztők elmagyarázzák, hogy a ferroelektromos elektromos dipólusok akkor a legstabilabbak, ha ugyanabban az irányban vannak beállítva. A hafnium-oxid biztosítja a dipólusok spontán összehangolását.
A kutatók azt mondják, hogy a ferroelektromos helyett antiferroelektromos használatával azt találták, hogy csak egy apró nettó töltés szükséges a törléshez, javítva az adatírás hatékonyságát.
A konferencián bemutatott munka szerzőiAz Elektromos és Elektronikai Mérnöki Intézet jelentése szerint a létrehozott kísérleti eszköz legalább 1000 írási cikluson keresztül stabilan működik.
A tudósok úgy vélik, hogy az ilyen kísérleti modulok kombinációja elősegíti az IoT fogyasztói elektronikai cikkek alacsony fogyasztású tárolórendszereinek létrehozását.
Olvass tovább
A japánok egy óriási turbinát dobtak az óceánba, hogy végtelen energiát nyerjenek az áramlatból.
A magánrakéta nem tudja elindítani a NASA viharfigyelő műholdait
Japán csillagászok ismeretlen szerkezetet találtak a galaxisban