Memoria flash a 6 bit testata in Giappone: mentre funziona a –200°C

Due anni fa, la società giapponese Kioxia (ex Toshiba Memory) ha annunciato lo sviluppo di successo della memoria flash NAND PLC con

scrivendo 5 bit su ogni cella.Ciò prometteva un aumento del 25% nella densità di registrazione rispetto alla memoria NAND QLC (4 bit), ma riduceva della metà la resistenza all'usura per una tecnologia di processo di classe 10 nm - fino a 35 cicli di riscrittura. Tuttavia, gli ingegneri non si sono fermati qui e hanno recentemente testato la memoria NAND 3D HLC a 6 bit e pianificano di creare NAND OLC a 8 bit.

Le informazioni nella cella NAND sono codificate con un numerostati di carica (tensione) ed è determinato dal valore 2 alla potenza, dove il grado è la capacità della cella. Ad esempio, per la memoria MLC, queste sono quattro gradazioni di livelli di tensione (22) e per il popolare QLC a 4 bit oggi, ci sono già 16 valori (24). Per la memoria con sei bit in ogni cella, è necessario contenere già 64 livelli e per 8 bit - 256 valori. Questo caricherà incredibilmente il controller di memoria, che dovrà ripristinare e correggere tutto questo ad ogni operazione, ma anche la fisica e la chimica dei materiali si oppongono a questo.

Per testare il funzionamento di una cella NAND a 6 bit,Gli ingegneri di Kioxia hanno raffreddato il campione di memoria a una temperatura di –200 °C. Ciò ha stabilizzato le caratteristiche del materiale e semplificato il design della cella. L'esperimento ha dimostrato che in questo stato una cella a 6 bit può scrivere e archiviare dati fino a 100 minuti senza distruzione e può anche resistere fino a 1.000 cicli di riscrittura. Gli sviluppatori sperano che a temperatura ambiente tale memoria resista fino a 100 cicli di riscrittura. Il risultato ottenuto ci permette di sperare che col tempo appaiano memorie HLC e persino OLC.

Tuttavia, anche se gli scienziati di KioxiaSe riescono a far funzionare HLC e OLC NAND a temperatura ambiente, dovranno sviluppare controller corrispondenti. Il loro compito è leggere e scrivere in modo affidabile i dati da tale memoria flash. Tali controllori dovranno supportare algoritmi ECC estremamente complessi, che richiederanno una notevole potenza di calcolo. Tali controller saranno troppo costosi per compensare i vantaggi in termini di capacità di 3D HLC e 3D OLC NAND? E quali prestazioni potranno offrire le future unità HLC? Come osserva Tom's Hardware, "solo il tempo lo dirà", ma gli esperti non si aspettano che le TLC scompaiano dal mercato in tempi brevi.

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