I chip con una capacità di registrazione di 1 GB non temono le radiazioni, il freddo e archiviano i dati per 10 anni

Micross, una società impegnata nello sviluppo di elettronica, ha annunciato il rilascio di un componente da 1 gigabyte

RAM magnetoresistiva (MRAM). Si tratta di una memoria magnetoresistiva molte volte più densa di quanto proposto in precedenza. La densità delle celle di memoria STT-MRAM è stata aumentata di 64 volte.

Secondo The Register, la baseI chip STT-MRAM Micross si basano sulla tecnologia dell'azienda americana Avalanche Technology. Nonostante Samsung abbia introdotto un'unità STT-MRAM da 1 GB quasi tre anni fa, a Micross può essere attribuito il rilascio di una STT-MRAM discreta da 1 GB, che può essere facilmente utilizzata nell'elettronica al posto della memoria flash NAND.

La memoria STT-MRAM opera a una temperatura più altaintervallo (da -40 ° C a 125 ° C). Può essere riscritto quasi all'infinito. Inoltre, non ha paura delle radiazioni e dei cambiamenti di temperatura. Ciò è particolarmente utile nell'industria aerospaziale e nel suo ambiente difficile. I dati delle celle vengono archiviati fino a 10 anni.

Il Registro ha chiesto a Micross di fornireinformazioni sui prezzi delle nuove parti, ma l'azienda non ha risposto al momento della pubblicazione dell'articolo. Le parti interessate possono contattare l'azienda attraverso il sito web della società.

Leggere Ulteriore

Una barca unica si trasforma in un sottomarino in due minuti ed è invisibile al nemico

I fisici hanno raffreddato gli atomi alla temperatura più bassa del mondo

Il modello più dettagliato dell'Universo è stato pubblicato online. Chiunque può studiarlo