2年前、日本のキオクシア社（旧東芝メモリ）は、NAND PLCフラッシュメモリの開発に成功したと発表した。
NANDセルの情報は数字でエンコードされます充電状態（電圧）であり、電力の値2によって決定されます。ここで、次数はセルの容量です。たとえば、MLCメモリの場合、これらは電圧レベルの4つのグラデーションであり（22）、今日人気のある4ビットQLCの場合、すでに16の値があります（24）。各セルに6ビットのメモリの場合、すでに64レベルを保持する必要があり、8ビットの場合は256の値を保持する必要があります。これはメモリコントローラーを信じられないほどロードし、各操作でこれらすべてを復元して修正する必要がありますが、材料の物理学と化学もこれに対抗します。
6 ビット NAND セルの動作をテストするには、キオクシアのエンジニアはメモリサンプルを -200 °C の温度まで冷却しました。これにより材料特性が安定し、セル設計が簡素化されました。実験では、この状態では、6 ビット セルは破壊することなく最大 100 分間データを書き込み、保存でき、また最大 1,000 回の書き換えサイクルにも耐えられることが示されました。開発者らは、このようなメモリが室温で最大 100 回の書き換えサイクルに耐えられることを期待しています。達成された結果により、時間の経過とともに HLC メモリ、さらには OLC メモリが登場することが期待できます。
しかし、たとえキオクシアの科学者たちがHLC と OLC NAND を室温で動作させることができれば、対応するコントローラーを開発する必要があります。彼らの仕事は、そのようなフラッシュ メモリからデータを確実に読み書きすることです。このようなコントローラーは非常に複雑な ECC アルゴリズムをサポートする必要があり、これにはかなりのコンピューティング能力が必要になります。このようなコントローラーは、3D HLC および 3D OLC NAND の容量の利点を相殺するには高価すぎるのでしょうか?そして、将来の HLC ドライブはどのようなパフォーマンスを提供できるのでしょうか? Tom's Hardware が指摘しているように、「時間が経てばわかる」ものの、専門家は TLC がすぐに市場から消えるとは予想していません。
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