MITの物理学者は遷移金属を強誘電体に変えます

TMD (遷移金属ジカルコゲニド) の 2 つの別々のシートの場合、それぞれ 1 つだけ

いくつかの原子層が積み重なっている互いに平行にすると、材料は強誘電体になります。この発見はMITの研究者によって行われました。強誘電体材料では、正と負の電荷が異なる方向または極に向かって自発的に移動します。外部電場が印加されると、これらの電荷は反対側に移動し、分極が変化します。さらに、新しい材料では、これらすべてが室温で起こります。

MITの物理学者の仕事は新しいので重要です材料は、コンピューティングにおいて興味深い用途を持つことができます。さらに、このアプローチは他の既存の材料に適用することができ、それはまたそれらの適用の可能性を拡大します。

「短期間で、大幅に小さいながらも成長している2D強誘電体のファミリーを拡大します。これは、ナノエレクトロニクスや人工知能のアプリケーション向けの重要なタイプの材料です」と、物理学の教授であり、研究のリーダーであるPabloJarillo-Herreroは述べています。

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昨年、Jarillo-Herreroと彼の同僚窒化ホウ素の2つの原子的に薄いシートが互いに平行に積み重ねられると、窒化ホウ素が強誘電体になることを示しました。現在の作業では、研究者は同じ手法をDPMに適用しました。

作成されたものと同様の極薄強誘電体窒化ホウ素とDPMから、コンピュータメモリのはるかに高密度のストレージを提供できます。しかし、それらはまれです。 4つの新しいTMD強誘電体が追加されたことで、「室温で動作する超薄型強誘電体の数がほぼ2倍になりました」と論文の著者の1人であるXiruiWangは述べています。さらに、彼女は、ほとんどの強誘電体材料は絶縁体であると述べました。 「強誘電体が半導体でもあることはめったにありません」とWang氏は結論付けました。

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