半導体材料は地球の軌道で成長します

ノボシビルスク半導体物理学研究所の科学者にちなんで名付けられました。ロシア連邦シベリア支部のA.V.ルジャノワ

科学アカデミー (IPP SB RAS) は、地球軌道上で半導体材料を成長させる予定です。この任務は、ロスコスモスによる ISS での科学的および応用研究の長期プログラムに含まれています。

私たちは長期プログラム中ですISS での科学的および応用研究。今年は気候試験、耐振動試験、耐放射線試験を完了しなければなりません。この後、1、2 年以内に ISS で実験が実施される予定です。

アレクサンダー・ラティシェフ氏、IPP SB RAS ディレクター

彼によると、宇宙では深真空状態が利用可能であるため、宇宙で実験を行う方が良いとのことです。この状態を地球上で再現するのは困難です。 

また、空間には作業室の壁がないため、真空状態を作り出すために多くの時間を費やす必要はありません。半導体構造の合成には超高純度条件が必要です。

Latyshev氏は、将来的には、実験の結果により、地球からのコンポーネントの複雑な輸送なしに、太陽電池を宇宙に直接復元できるようになると付け加えました。

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