우리의 결과는 루테늄 기반의 새로운 유형의 메모리 셀을 어떻게 크게 향상시킬 수 있는지 이해하는 데 도움이 될 것입니다.
필름의 두께를 늘리면전극 표면의 거칠기가 증가하는 반면, 전기장의 국부적 집중 영역은 입자의 경사면에 형성됩니다. 이는 멤리스터의 주요 특성을 크게 향상시키고 미래의 메모리 장치가 더 나은 성능과 신뢰성을 가질 것이라는 희망을 줍니다.MIPT 원자층 증착 그룹 책임자인 Andrey Markeev
멤리스터는 저항기라는 점을 기억하자.받은 정보를 기억할 수 있는 사람. 멤리스터의 저항은 전류가 이전에 통과한 방식에 따라 달라진다는 점에서 일반 저항과 다릅니다. 멤리스터에 이전에 기록된 데이터를 기억하고 변경할 수 있는 기능을 제공하는 것이 바로 이 속성입니다.
그러나 문제가 있습니다:멤리스터는 수백 회 이상의 쓰기 주기를 견딜 수 없으며 그 속성을 잃습니다. 러시아 과학자들은 이러한 호환성 문제가 없는 백금족 금속인 루테늄을 사용하여 이 문제를 해결하려고 했습니다. 루테늄을 돋보이게 만드는 또 다른 특성은 전극은 원자층 증착법을 사용해 생산할 수 있어 전극의 크기와 3차원 형태를 유연하게 제어할 수 있습니다.
물리학 자들은 루테늄 전극을 키우려고 시도했습니다티타늄 질화막 표면의 두께와 모양이 서로 다른 멤 리스터의 전통적인 구성 요소 중 하나입니다. 그 후 탈륨 산화물 층에 연결하고 전극의 구조와 두께의 변화가 전체 메모리 셀의 특성에 어떤 영향을 미치는지 모니터링했습니다.
이러한 장치는 수천만 번의 읽기 및 쓰기주기를 견딜 수 있습니다. 물리학 자들은 그들의 개발이 멤 리스터 전자 장치의 개발을 가속화하는 데 도움이되기를 희망합니다.
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