2년 전 일본 기업인 키옥시아(구 도시바 메모리)가 NAND PLC 플래시 메모리 개발에 성공했다고 발표했다.
NAND 셀의 정보는 숫자로 인코딩됩니다.충전 상태(전압)는 2의 전력에 의해 결정되며, 여기서 정도는 셀의 용량입니다. 예를 들어, MLC 메모리의 경우 이는 4단계의 전압 레벨(22)이고 오늘날 널리 사용되는 4비트 QLC의 경우 이미 16개의 값(24)이 있습니다. 각 셀에 6비트가 있는 메모리의 경우 이미 64개 레벨을 보유해야 하고 8비트 - 256개 값을 보유해야 합니다. 이것은 각 작업에서 이 모든 것을 복원하고 수정해야 하는 메모리 컨트롤러를 엄청나게 로드하지만 재료의 물리학 및 화학도 이에 반대합니다.
6비트 NAND 셀의 작동을 테스트하려면,KIOXIA 엔지니어들은 메모리 샘플을 -200°C의 온도로 냉각했습니다. 이는 소재의 특성을 안정화시키고 셀 디자인을 단순화시켰다. 실험에 따르면 이 상태에서 6비트 셀은 파괴 없이 최대 100분 동안 데이터를 쓰고 저장할 수 있으며 최대 1,000회의 재작성 주기도 견딜 수 있는 것으로 나타났습니다. 개발자들은 실온에서 이러한 메모리가 최대 100회의 재작성 주기를 견딜 수 있기를 바라고 있습니다. 이루어진 결과를 통해 시간이 지남에 따라 HLC 및 심지어 OLC 메모리도 나타날 수 있기를 바랄 수 있습니다.
그러나 Kioxia의 과학자들이HLC와 OLC NAND를 상온에서 작동할 수 있게 하려면 해당 컨트롤러를 개발해야 합니다. 이들의 임무는 이러한 플래시 메모리에서 데이터를 안정적으로 읽고 쓰는 것입니다. 이러한 컨트롤러는 상당한 컴퓨팅 성능이 필요한 매우 복잡한 ECC 알고리즘을 지원해야 합니다. 이러한 컨트롤러는 3D HLC 및 3D OLC NAND의 용량 이점을 상쇄하기에는 너무 비싸나요? 그리고 미래의 HLC 드라이브는 어떤 성능을 제공할 수 있을까요? Tom's Hardware는 "시간이 지나야 알 수 있을 것"이라고 언급했지만 전문가들은 TLC가 조만간 시장에서 사라질 것으로 예상하지 않습니다.
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