연구진은 반도체 층으로 실리콘 웨이퍼에 탄소 나노튜브를 배치했습니다.
팀은 두 개의 실드 사이에 트랜지스터를 배치했습니다.과학자들은 나노튜브가 최대 10Mrad의 방사선으로부터 전기적 특성을 보호한다는 사실을 발견했습니다. 이는 방사선 경화 실리콘 기반 장치가 견딜 수 있는 것보다 훨씬 높습니다. 트랜지스터 아래에 차폐물을 배치함으로써 나노튜브는 2Mrad로 보호되었습니다. 이러한 지표는 방사선 경화 실리콘 기반 전자 장치가 견딜 수 있는 수준과 동일합니다.
내방사선성 제조 용이장치 팀은 트랜지스터 아래에 실드를 배치하는 정적 메모리 칩(SRAM)을 만들었습니다. 연구에 따르면 이러한 칩은 실리콘 기반 SRAM과 동일한 안정성 임계값을 가지고 있습니다.
이 연구는 탄소 나노튜브가차세대 전자 제품에 대한 유망한 추가가 될 수 있습니다. 서비스 수명과 우주 비행 범위는 기술의 신뢰성에 의해 심각하게 제한됩니다. 원자 1개 두께의 이 튜브는 트랜지스터를 기존 실리콘보다 에너지 효율적으로 만들 것으로 기대됩니다.
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