기록 용량이 1GB인 칩은 방사선, 추위를 두려워하지 않으며 10년 동안 데이터를 저장합니다.

전자 제품 개발에 종사하는 회사인 Micross는 1GB 구성 요소 출시를 발표했습니다.

자기 저항 RAM(MRAM). 이는 이전에 제안된 것보다 몇 배 더 밀도가 높은 자기 저항 메모리입니다. STT-MRAM 메모리 셀의 밀도는 64배 증가했습니다.

The Register에 따르면,STT-MRAM Micross 칩은 미국 회사인 Avalanche Technology의 기술을 기반으로 합니다. 삼성이 거의 3년 전에 1GB STT-MRAM 장치를 출시했다는 사실에도 불구하고 Micross는 NAND 플래시 메모리 대신 전자 제품에 쉽게 사용할 수 있는 개별 1GB STT-MRAM을 출시한 공로를 인정받을 수 있습니다.

STT-MRAM 메모리는 더 높은 온도에서 작동합니다.범위(-40°C ~ 125°C). 거의 무한정 다시 쓸 수 있습니다. 또한 그녀는 방사선과 온도 변화를 두려워하지 않습니다. 이것은 항공 우주 산업과 열악한 환경에서 특히 유용합니다. 셀 데이터는 최대 10년 동안 저장됩니다.

The Register는 Micross에게 제공을 요청했습니다.새 부품 가격에 대한 정보가 있지만 기사 게시 당시 회사는 응답하지 않았습니다. 이해관계자는 회사 홈페이지를 통해 회사에 문의하실 수 있습니다.

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