Aalto 대학과 Jyväskylä 대학의 연구원은 개인의 양자 상태를 변경했습니다.
그들의 작업에서 물리학 자들은주석 텔루라이드(SnTe)로 만든 반도체 기판. 연구원들은 외부 전기장에 의해 제어될 수 있는 자발적 분극을 획득하는 SnTe의 능력인 강유전체 효과가 기판에 배치된 분자의 내부 상태를 조정할 수 있게 해준다는 것을 입증했습니다.
연구원들은 설정 속성에 주목합니다.분자는 기판에 전압이 가해질 때 생성되는 내부 전기장에 의해 제공됩니다. 과학자들이 제안한 방법은 아직 확장할 준비가 되지 않았지만 제어된 특성을 가진 재료 개발을 위한 새로운 방향을 열어줍니다.
강유전성 기판의 분자 제어. 이미지: Mohammad Amini 외, Advanced Materials
양자의 내부 상태 제어시스템은 양자 재료에서 가장 큰 과제 중 하나라고 과학자들은 지적합니다. 가장 깊은 수준에서 개별 분자는 같은 수의 전자를 가지고 있더라도 서로 다른 양자 상태를 나타낼 수 있습니다. 이러한 상태는 완전히 다른 속성으로 이어질 수 있는 다른 전자 구성과 연결됩니다.
전자 구성 관리 기능미래의 개별 분자는 전환 가능한 상태를 가진 인공 분자 물질의 개발을 가능하게 할 것입니다. 한편, 과학자들은 두 가지 구성이 0과 1이 분자 수준에서 고전적 메모리 단위로 인코딩될 수 있기 때문에 고전적인 컴퓨터 메모리의 추가 소형화를 가능하게 할 것이라고 덧붙였습니다.
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표지: 강유전성 기질 위에 있는 분자의 예술적인 삽화. 이미지: Jose Lado, Aalto University