„Samsung“ yra vienas reikšmingų žaidėjų puslaidininkių rinkoje ir pagrindinis TSMC konkurentas
architektūros plėtra.Prisiminkime, kad taivaniečiai neseniai pristatė savo 3 nm technologiją ir net prakalbo apie 2 nm analogą. Na, o „Samsung“ paskelbė apie savo 3 nm architektūros vizijos su nauja „Gate-All-Around“ (GAA) technologija, leidžiančia apeiti šiuolaikinių geriausių lustų „FinFET“ apribojimus, gamybos pradžią. Tai leis tinkamai padidinti našumą (didinant leistiną srovę) ir energijos vartojimo efektyvumą (mažinant įtampą). „Samsung“ teigimu, pirmosios kartos 3 nm architektūra užtikrins +23% našumą, +45% energijos efektyvumą ir 16% sutaupys vietos, palyginti su 5nm analogu. Antroji karta padidins šiuos skaičius atitinkamai iki 30, 50 ir 35%.
Korėjiečiai taip pat pranešė apie pirmąjį naudojimąтехнологии транзисторных нанолистов, которые приходят на замену нанопроволоке. Ее преимущество – более широкие каналы, которые становятся предпосылкой к росту производительности, энергоэффективности и уровня оптимизации. Сперва ее попробовали на высокопроизводительных вычислительных системах с последующим переносом на мобильные чипсеты. Вероятно, первые реальные проекты на 3-нм архитектуре Samsung мы увидим в конце этого года в исполнении Qualcomm и/или Apple.
© Arthur Luchkin.
Pasak Samsung