Samsung is een van de belangrijke spelers op de halfgeleidermarkt en de belangrijkste concurrent van TSMC op het gebied van
architectuur ontwikkeling.Laten we niet vergeten dat de Taiwanezen onlangs hun 3 nm-technologie presenteerden en zelfs spraken over een 2 nm-analoog. Welnu, Samsung heeft de productiestart aangekondigd van zijn visie op een 3nm-architectuur met nieuwe Gate-All-Around (GAA)-technologie, waarmee je de FinFET-beperkingen van de hedendaagse topchips kunt omzeilen. Dit zorgt voor een behoorlijke toename van de prestaties (door de toegestane stroom te verhogen) en de energie-efficiëntie (door de spanning te verlagen). Volgens Samsung zal de eerste generatie 3nm-architectuur +23% aan prestaties, +45% aan energie-efficiëntie en 16% ruimtebesparing opleveren vergeleken met zijn 5nm-tegenhanger. De tweede generatie zal deze cijfers respectievelijk op 30, 50 en 35% brengen.
Koreanen meldden ook het eerste gebruiktechnologie van transistornanosheets, die nanodraden vervangen. Het voordeel – bredere kanalen, die een voorwaarde worden voor verhoogde productiviteit, energie-efficiëntie en optimalisatieniveaus. Het werd eerst getest op krachtige computersystemen en vervolgens overgebracht naar mobiele chipsets. Waarschijnlijk zullen we eind dit jaar de eerste echte projecten op de 3nm-architectuur van Samsung zien van Qualcomm en/of Apple.
© Arthur Luchkin.
Volgens Samsung