Chipy o rekordowej pojemności 1 GB nie boją się promieniowania, chłodu i przechowywania danych przez 10 lat

Micross, firma zajmująca się rozwojem elektroniki, ogłosiła wypuszczenie 1-gigabajtowego komponentu

Magnetorezystancyjna pamięć RAM (MRAM). Jest to wielokrotnie gęstsza pamięć magnetorezystancyjna niż wcześniej proponowano. Gęstość komórek pamięci STT-MRAM została zwiększona 64-krotnie.

Według The Register, podstawaChipy STT-MRAM Micross bazują na technologii amerykańskiej firmy Avalanche Technology. Pomimo tego, że Samsung prawie trzy lata temu wprowadził na rynek moduł STT-MRAM o pojemności 1 GB, firmie Micross można przypisać wypuszczenie na rynek dyskretnej pamięci STT-MRAM o pojemności 1 GB, którą z łatwością można zastosować w elektronice zamiast pamięci flash NAND.

Pamięć STT-MRAM działa w wyższej temperaturzezakres (-40°C do 125°C). Można go przepisywać prawie w nieskończoność. Nie boi się też promieniowania i zmian temperatury. Jest to szczególnie przydatne w przemyśle lotniczym i jego trudnym środowisku. Dane komórkowe są przechowywane do 10 lat.

Rejestr zwrócił się do firmy Micross z prośbą o udostępnienieinformację o cenach nowych części, jednak w chwili publikacji artykułu firma nie udzieliła odpowiedzi. Zainteresowani mogą kontaktować się z firmą poprzez stronę internetową firmy.

Czytać Dalej

Unikalna łódź zamienia się w łódź podwodną w ciągu dwóch minut i jest niewidoczna dla wroga

Fizycy schłodzili atomy do najniższej temperatury na świecie

Najbardziej szczegółowy model Wszechświata został opublikowany w Internecie. Każdy może to studiować