Nossos resultados nos ajudarão a entender como podemos melhorar significativamente novos tipos de células de memória baseadas em rutênio.
O aumento da espessura do seu filme leva aaumento da rugosidade da superfície do eletrodo, enquanto áreas de concentração local do campo elétrico se formam nas encostas dos grãos. Isso melhora significativamente as principais características dos memristores e dá esperança de que futuros dispositivos de memória terão melhor desempenho e confiabilidade.Andrey Markeev, chefe do grupo de deposição de camada atômica do MIPT
Lembremos que os memristores são resistores,quem consegue se lembrar das informações recebidas. Eles diferem dos resistores comuns porque a resistência do memristor depende de como a corrente passou anteriormente por ele. É essa propriedade que dá ao memristor a capacidade de lembrar e alterar dados gravados anteriormente.
No entanto, há um problema:Os memristores não suportam mais do que várias centenas de ciclos de gravação e perdem suas propriedades. Cientistas russos tentaram resolver esse problema usando o rutênio, um metal do grupo da platina que não apresenta esses problemas de compatibilidade. Outra propriedade que destaca o rutênio é a sua capacidade de absorção. Os eletrodos podem ser produzidos pelo método de deposição de camada atômica, que permite o controle flexível de seu tamanho e formato tridimensional.
Físicos tentaram cultivar eletrodos de rutêniofilmes de nitreto de titânio de várias espessuras e formatos na superfície são um dos componentes tradicionais dos memristores. Depois disso, ele foi combinado com uma camada de óxido de tálio e monitorado como as mudanças na estrutura e espessura do eletrodo afetavam as propriedades de toda a célula de memória como um todo.
Esse dispositivo pode sobreviver a dezenas de milhões de ciclos de leitura e gravação. Os físicos esperam que seu desenvolvimento ajude a acelerar o desenvolvimento da eletrônica de memristor.
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