Memória flash de 6 bits testada no Japão: enquanto opera a –200 ° C

Há dois anos, a empresa japonesa Kioxia (anteriormente Toshiba Memory) anunciou o desenvolvimento bem-sucedido da memória flash NAND PLC com

escrevendo 5 bits em cada célula.Isso prometia um aumento de 25% na densidade de gravação em comparação com a memória QLC NAND (4 bits), mas reduziu a resistência ao desgaste pela metade para uma tecnologia de processo de classe de 10 nm – até 35 ciclos de reescrita. No entanto, os engenheiros não pararam por aí e testaram recentemente a memória HLC 3D NAND de 6 bits e planejam criar OLC NAND de 8 bits.

As informações na célula NAND são codificadas com um númeroestados de carga (tensão) e é determinado pelo valor 2 à potência, onde o grau é a capacidade da célula. Por exemplo, para a memória MLC, essas são quatro gradações de níveis de voltagem (22), e para o popular QLC de 4 bits hoje, já existem 16 valores (24). Para memória com seis bits em cada célula, é necessário conter já 64 níveis, e para 8 bits - 256 valores. Isso carregará incrivelmente o controlador de memória, que terá que restaurar e corrigir tudo isso a cada operação, mas a física e a química dos materiais também se opõem a isso.

Para testar a operação de uma célula NAND de 6 bits,Os engenheiros da Kioxia resfriaram a amostra de memória a uma temperatura de –200 °C. Isto estabilizou as características do material e simplificou o design da célula. O experimento mostrou que, neste estado, uma célula de 6 bits pode gravar e armazenar dados por até 100 minutos sem destruição, e também pode suportar até 1.000 ciclos de reescrita. Os desenvolvedores esperam que, em temperatura ambiente, essa memória suporte até 100 ciclos de reescrita. O resultado alcançado nos permite esperar que com o tempo apareçam memórias HLC e até OLC.

No entanto, mesmo que os cientistas da KioxiaSe conseguirem fazer o HLC e o OLC NAND funcionarem em temperatura ambiente, precisarão desenvolver controladores correspondentes. Sua tarefa é ler e gravar dados de forma confiável dessa memória flash. Esses controladores precisarão suportar algoritmos ECC extremamente complexos, que exigirão um poder computacional significativo. Esses controladores serão muito caros para compensar os benefícios de capacidade do 3D HLC e do 3D OLC NAND? E que desempenho as futuras unidades HLC podem oferecer? Como observa Tom's Hardware, “só o tempo dirá”, mas os especialistas não esperam que o TLC desapareça do mercado tão cedo.

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