A Samsung é um dos players importantes no mercado de semicondutores e o principal concorrente da TSMC em termos de
desenvolvimento de arquitetura.Recordemos que os taiwaneses apresentaram recentemente a sua tecnologia de 3nm e até falaram num análogo de 2nm. Pois bem, a Samsung anunciou o início da produção de sua visão de uma arquitetura de 3 nm com a nova tecnologia Gate-All-Around (GAA), que permite contornar as limitações FinFET dos principais chips atuais. Isso proporcionará um aumento decente no desempenho (aumentando a corrente permitida) e na eficiência energética (reduzindo a tensão). De acordo com a Samsung, a primeira geração da arquitetura de 3nm proporcionará +23% em desempenho, +45% em eficiência energética e 16% de economia de espaço em comparação com sua contraparte de 5nm. A segunda geração elevará esses números para 30, 50 e 35%, respectivamente.
Os coreanos também relataram o primeiro usotecnologia de nanofolhas de transistores, que estão substituindo os nanofios. Sua vantagem – canais mais amplos, que se tornam um pré-requisito para o aumento da produtividade, eficiência energética e níveis de otimização. Ele foi testado primeiro em sistemas de computação de alto desempenho e depois transferido para chipsets móveis. Provavelmente veremos os primeiros projetos reais na arquitetura de 3nm da Samsung no final deste ano da Qualcomm e/ou Apple.
© Arthur Luchkin.
De acordo com a Samsung