Cipurile cu o capacitate record de 1 GB nu se tem de radiații, frig și stochează date timp de 10 ani

Micross, o companie implicată în dezvoltarea de electronice, a anunțat lansarea unei componente de 1 gigaoctet

RAM magnetorezistiv (MRAM). Aceasta este o memorie magnetorezistivă de multe ori mai densă decât s-a propus anterior. Densitatea celulelor de memorie STT-MRAM a fost crescută de 64 de ori.

Conform Registrului, bazaChipurile STT-MRAM Micross se bazează pe tehnologia companiei americane Avalanche Technology. În ciuda faptului că Samsung a introdus o unitate STT-MRAM de 1 GB în urmă cu aproape trei ani, Micross poate fi creditat cu lansarea unui STT-MRAM discret de 1 GB, care poate fi utilizat cu ușurință în electronice în locul memoriei flash NAND.

Memoria STT-MRAM funcționează la o temperatură mai ridicată(-40 ° C până la 125 ° C). Poate fi rescris aproape la infinit. De asemenea, nu se teme de radiații și de schimbările de temperatură. Acest lucru este util mai ales în industria aerospațială și în mediul său dur. Datele celulare sunt stocate timp de până la 10 ani.

Registrul a cerut lui Micross să furnizezeinformații despre prețurile pieselor noi, dar compania nu a răspuns la momentul publicării articolului. Părțile interesate pot contacta compania prin intermediul site-ului companiei.

A citi Mai departe

O barcă unică se transformă într-un submarin în două minute și este invizibilă pentru inamic

Fizicienii au răcit atomii la cea mai scăzută temperatură din lume

Cel mai detaliat model al Universului a fost publicat online. Oricine îl poate studia