Objavil sa nový spôsob aplikácie tenkých vrstiev atómov

Výskumníci z University of Alabama predstavili nový spôsob ukladania tenkých vrstiev atómov ako

nanášanie na materiál pri teplote blízkej izbovej teplote. Vedci použili technológiu ultrazvukovej atomizácie na odparovanie chemikálií používaných pri ukladaní atómovej vrstvy (ALD).

„ALD je metóda nanášania trojrozmernej tenkej vrstvyfilmy, ktoré hrajú dôležitú úlohu pri výrobe mikroelektroniky, najmä prvkov, ako sú centrálne procesorové jednotky, pamäť a pevné disky, “poznamenávajú vedci. Každý cyklus ALD nanáša vrstvu hlbokú niekoľko atómov.

Procesy ALD sa zvyčajne používajú zahrievanémolekuly v plynnej fáze, ktoré sa odparujú z pevnej alebo kvapalnej formy - podobne ako vnútorné zvlhčovače, ktoré využívajú teplo na odparenie vody. V tomto procese sú však niektoré chemické prvky nestabilné a môžu sa rozkladať skôr, ako začne tlak pár.

Vedci vytvárajú najtichšie polovodičové kvantové bity

"Ultrazvuková atomizácia vyvinutá našou spoločnosťou."výskumná skupina umožňuje získať prekurzory s nízkym tlakom pár, pretože k odparovaniu došlo v dôsledku ultrazvukových vibrácií modulu. Rovnako ako v prípade zvlhčovača vzduchu pre domácnosť, vytvára ultrazvukové rozprašovanie hmlu nasýtenej pary a mikrokvapiek. Kvapky veľkosti mikrónov sa kontinuálne odparujú a nanášajú na povrch materiálu, “poznamenali vedci.

Tento proces využíva ultrazvuktransformátor umiestnený v kvapalnom chemickom prekurzore. Po spustení zariadenie vibruje rýchlosťou niekoľko stokrát za sekundu a vytvára hmlu z materiálu. Malé kvapôčky kvapaliny v hmle sa vo vákuu a pri miernom tepelnom spracovaní rýchlo odparia v plynovom potrubí a zanechajú po sebe rovnomernú vrstvu naneseného materiálu.

Prečítajte si tiež

Každoročná misia v Arktíde sa skončila a údaje sú sklamaním. Čo čaká ľudstvo?

Vedci zistili, prečo sú deti najnebezpečnejším nosičom látky COVID-19

Hniezdo ázijských vrahových sršňov nájdených a zničených v USA