Naše výsledky nám pomôžu pochopiť, ako môžeme výrazne zlepšiť nové typy pamäťových buniek na báze ruténia.
Zvyšovanie hrúbky jeho filmu vedie kzvýšenie drsnosti povrchu elektródy, pričom na svahoch zŕn sa vytvárajú oblasti lokálnej koncentrácie elektrického poľa. To výrazne zlepšuje kľúčové vlastnosti memristorov a dáva nádej, že budúce pamäťové zariadenia budú mať lepší výkon a spoľahlivosť.Andrey Markeev, vedúci skupiny depozície atómovej vrstvy v MIPT
Pripomeňme si, že memristory sú rezistory,ktorí si zapamätajú prijaté informácie. Od bežných rezistorov sa líšia tým, že odpor memristora závisí od toho, ako ním predtým prechádzal prúd. Práve táto vlastnosť dáva memristoru možnosť zapamätať si a zmeniť predtým zaznamenané údaje.
Je tu však problém:Memristory nevydržia viac ako niekoľko stoviek cyklov zápisu a stratia svoje vlastnosti. Ruskí vedci sa tento problém pokúsili vyriešiť pomocou ruténia, kovu zo skupiny platiny, ktorý nemá také problémy s kompatibilitou. Ďalšou vlastnosťou, vďaka ktorej ruténium vyniká, je jeho Elektródy je možné vyrábať metódou nanášania atómovej vrstvy, ktorá umožňuje flexibilnú kontrolu ich veľkosti a trojrozmerného tvaru.
Fyzici sa pokúsili vypestovať ruténiové elektródyrôznych hrúbok a tvarov na povrchu filmu nitridu titánu je jednou z tradičných zložiek memristorov. Potom sa skombinovala s vrstvou oxidu tália a sledovalo sa, ako zmeny v štruktúre a hrúbke elektródy ovplyvňujú vlastnosti celej pamäťovej bunky ako celku.
Takéto zariadenie dokáže prežiť desiatky miliónov cyklov čítania a zápisu. Fyzici dúfajú, že ich vývoj pomôže urýchliť vývoj memristorovej elektroniky.
Prečítajte si tiež
Neuróny v ľudskom mozgu a sieti galaxií sú podobné
Vďaka pohybu tanierov je tichomorský oceán hlboko pod Čínou
Vedci nabúrali robotický vysávač na diaľkové zaznamenávanie konverzácií používateľov