Čipy s rekordnou kapacitou 1 GB sa neboja žiarenia, chladu a uchovávajú údaje 10 rokov

Elektronická spoločnosť Micross oznámila vydanie 1-gigabajtového komponentu

Toto je mnohonásobne hustejšia magnetorezistívna pamäť, ako sa pôvodne predpokladalo.Hustota pamäťových buniek STT-MRAM sa zvýšila 64-krát.

Podľa The Register sú čipy STT-MRAM Micross založené na technológii americkej spoločnosti Avalanche Technology.Napriek tomu, že spoločnosť Samsung predstavila jednotku 1GB STT-MRAM takmer pred tromi rokmi, spoločnosti Micross možno pripísať vydanie diskrétneho 1GB STT-MRAM, ktorý sa ľahko používa v elektronike namiesto NAND flash pamäte.

Pamäť STT-MRAM pracuje pri vyššej teploterozsah (-40 ° C až 125 ° C). Prepisovať sa dá takmer neobmedzene. Tiež sa nebojí žiarenia a teplotných zmien. To je obzvlášť užitočné v leteckom priemysle a jeho drsnom prostredí. Údaje z buniek sú uložené až 10 rokov.

Register požiadal spoločnosť Micross o informácie o cenách nových dielov, ale spoločnosť v čase zverejnenia neodpovedala.Záujemcovia môžu kontaktovať spoločnosť prostredníctvom webovej stránky spoločnosti.

Čítať Ďalej

Unikátny čln sa za dve minúty zmení na ponorku a je pre nepriateľa neviditeľný

Fyzici ochladili atómy na najnižšiu teplotu na svete

Najpodrobnejší model vesmíru bol uverejnený na internete. Študovať to môže ktokoľvek