Самсунг је један од значајних играча на тржишту полупроводника и главни конкурент ТСМЦ-у у смислу
развој архитектуре.Подсетимо се, Тајванци су недавно представили своју 3нм технологију и чак су говорили о 2нм аналогу. Па, Самсунг је најавио почетак производње своје визије 3нм архитектуре са новом Гате-Алл-Ароунд (ГАА) технологијом, која вам омогућава да заобиђете ФинФЕТ ограничења данашњих врхунских чипова. Ово ће обезбедити пристојно повећање перформанси (повећањем дозвољене струје) и енергетске ефикасности (смањењем напона). Према Самсунг-у, прва генерација 3нм архитектуре ће обезбедити +23% у перформансама, +45% у енергетској ефикасности и 16% уштеде простора у поређењу са 5нм колегом. Друга генерација ће ове бројке довести до 30, 50 и 35 одсто.
Корејци су такође пријавили прву употребутехнологија транзисторских нанолистова, који замењују наножице. Његова предност &# 8211; шири канали, који постају предуслов за повећану продуктивност, енергетску ефикасност и нивое оптимизације. Прво је тестиран на рачунарским системима високих перформанси, а затим пренет на мобилне чипсете. Прве праве пројекте на Самсунг-овој 3нм архитектури вероватно ћемо видети крајем ове године од Куалцомм-а и/или Аппле-а.
© Артур Луикин.
Према Самсунгу