Urbana-Champaign'deki Illinois Üniversitesi'nden mühendisler elektrokimyasal rastgele erişim belleğini entegre etti
Araştırmacılar bellek oluşturmak için kullandımodern yarı iletken teknolojileriyle (CMOS) uyumlu malzemeler: geçit ve kanal için tungsten oksit, elektrolit için zirkonyum oksit ve hareketli iyonlar olarak protonlar. Bu, cihazı standart mikro elektroniklere entegre etmeyi mümkün kıldı.
ECRAM üretim süreci. Resim: Jinsong Cui ve diğerleri, Nature Electronics
ECRAM, bir bellek hücresi veya aygıtıdır.veri depolamak ve bilgi işlem için aynı alanı kullanır. Bu özel mimari, bellek ile işlemci arasında veri aktarmanın enerji maliyetini ortadan kaldırarak veri yoğun işlemlerin çok hızlı ve verimli bir şekilde gerçekleştirilmesini sağlar.
Elektrokimyasal bellek bilgileri kodlarkapı ve kanal arasında hareketli iyonları hareket ettirerek. Geçit terminaline uygulanan elektrik darbeleri, iyonları kanala sokar veya onları dışarı çeker; kanalın elektriksel iletkenliğinde ortaya çıkan değişiklik bilgiyi korur. Kanaldan geçen elektrik akımı ölçülerek okunur. Geçit ve kanal arasındaki elektrolit, istenmeyen iyon akışını önleyerek belleğin uçucu olmayan bir modda çalışmasına izin verir.
Elektrokimyasal hafıza devresi. Görseller: Jinsong Cui ve diğerleri, Nature Electronics
Araştırmacılar göstermiştir ki,cihaz yüksek anahtarlama hızları sergiledi, 100 milyondan fazla okuma-yazma döngüsüne dayandı ve standart bellek teknolojisinden çok daha verimliydi. Aynı zamanda kanal, iyonları güvenilir bir şekilde saatlerce tutar ve bu da çoğu derin sinir ağını eğitmek için yeterlidir. Materyaller mikro fabrikasyon teknolojileriyle uyumlu olduğundan, cihazlar mikro ve nano boyutlara ölçeklendirilebilir, bu da yüksek yoğunluk ve işlem gücü sağlar.
Daha fazla oku:
Kuantum fiziğinin temel teorisi nihayet kanıtlandı. Ana
Biyologlar, kanser hücrelerinin bağışıklık sisteminden nasıl kaçtığını keşfetti
İnsülin enjeksiyonları olmadan kan şekerini düşürmenin bir yolunu buldum
Kapak: ECRAM dizisi. Resim: Illinois Urbana-Champaign Üniversitesi'ndeki Grainger Mühendislik Fakültesi