Samsung є одним із значних гравців на ринку напівпровідників і головним конкурентом TSMC в частині
розробка архітектури.Нагадаємо, нещодавно тайванці представили свою 3-нм технологію і навіть розповіли про 2-нм аналог. А Samsung оголосила про старт виробництва свого бачення 3-нм архітектури з новою технологією Gate-All-Around (GAA), що дозволяє обійти обмеження FinFET від сьогоднішніх топових чіпів. Це забезпечить гідний приріст продуктивності (за рахунок збільшення допустимого струму) та енергоефективності (за рахунок зниження напруги). За словами Samsung, перше покоління 3-нм архітектури забезпечить +23% до продуктивності, +45% до енергоефективності та 16% економії простору порівняно з 5-нм аналогом. Друге покоління доведе ці цифри до 30, 50 та 35% відповідно.
Також корейці повідомили про перше застосуваннятехнології транзисторних нанолистів, які приходять на заміну нанодроту. Її перевага – більш широкі канали, які стають передумовою зростання продуктивності, енергоефективності та рівня оптимізації. Спочатку її спробували на високопродуктивних обчислювальних системах із подальшим перенесенням на мобільні чіпсети. Ймовірно, перші реальні проекти на 3-нм архітектурі Samsung ми побачимо наприкінці цього року у виконанні Qualcomm та Apple.
© Артур Лучкін.
За матеріалами Samsung